?CdTe不溶于水，即便CdTe組件破碎，亦不會(huì)造成水污染；
?Cd是Zn的伴生礦，對(duì)Cd的有效利用，降低了采礦過(guò)程中的污染；
?燃煤發(fā)電排出Cd和Hg，遠(yuǎn)超過(guò)CdTe組件里Cd的含量；
?獨(dú)立第三方的分析認(rèn)為CdTe組件里的Cd和晶硅組件里的Pb對(duì)環(huán)境的影響相當(dāng)；
?在酸性條件下，Pb的溶解率遠(yuǎn)高于CdTe；
?First Solar公司自成立以來(lái)員工所有血液、尿液檢測(cè)，Cd含量都低于安全閾值。
1、CdTe是一種II-VI族化合物半導(dǎo)體，吸收率高，僅1微米（μm）厚就可以吸收90%以上的可見(jiàn)光，是單晶硅的1/100，非常適合于制作成薄膜太陽(yáng)電池的吸收層，是實(shí)現(xiàn)低成本和低能耗的重要前提。
2、CdTe為直接帶隙材料，其能隙為1.5eV，對(duì)理想太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率與能帶寬度關(guān)系的計(jì)算表明，它與地面太陽(yáng)光譜匹配得很好，理論效率高達(dá)28%~29%。技術(shù)發(fā)展?jié)摿艽?/strong>。
3、CdTe因Cd-Te化學(xué)鍵的鍵能高達(dá)5.7eV，是含鎘材料中最穩(wěn)定的形態(tài)，因此在常溫下化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定。其熔點(diǎn)高達(dá)1041℃，飽和蒸汽壓在低于350℃時(shí)很低。在正常日照下CdTe不會(huì)分解擴(kuò)散，再加上它不溶于水，因此在使用過(guò)程中穩(wěn)定安全。
4、在真空環(huán)境中溫度高于400℃時(shí)，CdTe固體會(huì)出現(xiàn)升華，分解成碲和鎘的蒸汽；溫度低于400℃，或者環(huán)境氣壓升高時(shí)升華迅速減弱，碲、鎘蒸汽會(huì)化合凝聚成固體。這一特性，有利于真空快速薄膜制備，如近空間升華（CSS）、氣相輸運(yùn)（VTD），而真空室內(nèi)的制備過(guò)程又保證了CdTe薄膜生產(chǎn)過(guò)程的安全性。
5、碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池組件的溫度系數(shù)約為-0.25%/℃，比晶體硅太陽(yáng)能電池低一半左右，所以，其發(fā)電量比標(biāo)稱(chēng)功率相同的晶硅電池多，也更適合于高溫環(huán)境。
6、碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池組件的光譜吸收不覆蓋水蒸汽的吸收峰，因此不會(huì)像晶硅組件一樣在潮濕氣候下發(fā)電輸出下降。
現(xiàn)今世界晶硅電池盛行，隨著CdTe優(yōu)勢(shì)的逐漸挖掘，不久的未來(lái)，誰(shuí)將是電池引領(lǐng)者？且看風(fēng)云變幻王者再現(xiàn)！
