第三屆N型晶硅電池與鈍化接觸技術(shù)論壇將于2018年12月6-7日在江蘇常州召開(kāi)。來(lái)自新南威爾士大學(xué)(UNSW)的專(zhuān)家將參會(huì)并作重要報(bào)告，介紹N型硅的效率提升及光衰研究。

UNSW研究表明，通過(guò)選擇性雜質(zhì)工程處理，可以將低質(zhì)量n-型硅片的開(kāi)路電壓從650 mV提高到730 mV。UNSW將在報(bào)告中介紹吸雜和氫鈍化的影響效果以及創(chuàng)造低質(zhì)量低成本硅太陽(yáng)能電池的潛能。

在已完成的n-型硅異質(zhì)結(jié)電池生產(chǎn)中，UNSW通過(guò)提升載流子運(yùn)輸和表面鈍化來(lái)進(jìn)一步提升異質(zhì)結(jié)電池效率。UNSW研究表明，他們將異質(zhì)結(jié)電池效率絕對(duì)值提升了高達(dá)0.7%，這一提高采用了其正在審批的關(guān)于SHJ結(jié)構(gòu)的新專(zhuān)利中的流程。此外，該技術(shù)還可以將n-PERT太陽(yáng)能電池的效率絕對(duì)值提升0.3%-0.5%。

n-型硅太陽(yáng)能電池由于不受光衰影響而廣受贊譽(yù)。然而，UNSW在近期對(duì)晶硅材料的熱輔助光衰(LeTID)研究中，發(fā)現(xiàn)這些雜質(zhì)也許也會(huì)在n-型硅中出現(xiàn)。通過(guò)控制燒結(jié)條件和擴(kuò)散發(fā)射極層，UNSW找到了在n-型硅中誘導(dǎo)和調(diào)整光熱衰變?nèi)毕莸姆椒ā；谶@些方法，他們將在報(bào)告中討論這些發(fā)現(xiàn)對(duì)于n-型和p-型晶體硅的技術(shù)發(fā)展意義。