第三屆N型晶硅電池與鈍化接觸技術論壇將于2018年12月6-7日在江蘇常州召開。來自新南威爾士大學(UNSW)的專家將參會并作重要報告，介紹N型硅的效率提升及光衰研究。

UNSW研究表明，通過選擇性雜質工程處理，可以將低質量n-型硅片的開路電壓從650 mV提高到730 mV。UNSW將在報告中介紹吸雜和氫鈍化的影響效果以及創造低質量低成本硅太陽能電池的潛能。

在已完成的n-型硅異質結電池生產中，UNSW通過提升載流子運輸和表面鈍化來進一步提升異質結電池效率。UNSW研究表明，他們將異質結電池效率絕對值提升了高達0.7%，這一提高采用了其正在審批的關于SHJ結構的新專利中的流程。此外，該技術還可以將n-PERT太陽能電池的效率絕對值提升0.3%-0.5%。

n-型硅太陽能電池由于不受光衰影響而廣受贊譽。然而，UNSW在近期對晶硅材料的熱輔助光衰(LeTID)研究中，發現這些雜質也許也會在n-型硅中出現。通過控制燒結條件和擴散發射極層，UNSW找到了在n-型硅中誘導和調整光熱衰變缺陷的方法?；谶@些方法，他們將在報告中討論這些發現對于n-型和p-型晶體硅的技術發展意義。